在當(dāng)今電子科技飛速發(fā)展的時(shí)代,頻率控制產(chǎn)品作為電子設(shè)備的核心組件,其性能的優(yōu)劣直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的運(yùn)行效率和穩(wěn)定性.泰藝電子,作為全球頻率控制產(chǎn)品領(lǐng)域的佼佼者,一直以來都以其卓越的技術(shù)實(shí)力和創(chuàng)新精神,引領(lǐng)著行業(yè)的發(fā)展潮流.自成立以來,泰藝電子始終專注于石英頻率控制組件的研發(fā),生產(chǎn)和銷售,產(chǎn)品涵蓋了石英振蕩子,石英振蕩器,壓控石英振蕩器,溫度補(bǔ)償石英振蕩器以及恒溫控制石英振蕩器等多個(gè)系列,為全球眾多行業(yè)提供了高品質(zhì),高性能的頻率解決方案.憑借著四十多年的持續(xù)努力和技術(shù)積累,泰藝電子已經(jīng)在全球范圍內(nèi)建立了廣泛的客戶基礎(chǔ)和良好的市場(chǎng)口碑,成為了石英頻率解決方案的世界知名廠商.簡(jiǎn)單來說,相位噪聲越低,振蕩器輸出的信號(hào)就越純凈,越穩(wěn)定,越接近理想狀態(tài)下的純凈正弦波,能夠最大程度減少信號(hào)失真,誤碼等問題的出現(xiàn).在當(dāng)今電子科技飛速迭代的背景下,無論是5G通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,還是高精度儀器儀表,量子計(jì)算等領(lǐng)域,都對(duì)頻率精度和信號(hào)穩(wěn)定性提出了近乎嚴(yán)苛的要求,低相位噪聲的重要性不言而喻.傳統(tǒng)VCXO壓控晶振往往難以兼顧低噪聲與高穩(wěn)定性,要么相位噪聲控制不佳,導(dǎo)致設(shè)備運(yùn)行卡頓,信號(hào)傳輸異常;要么為了控制噪聲犧牲了頻率調(diào)節(jié)的靈活性,無法適配多場(chǎng)景應(yīng)用需求,而泰藝電子這款新型產(chǎn)品,恰好破解了這一行業(yè)痛點(diǎn),憑借突破性的低相位噪聲性能,為各類高精度設(shè)備提供了更可靠的頻率支撐.對(duì)于現(xiàn)代通信系統(tǒng)而言,信號(hào)的相位噪聲會(huì)直接影響到通信的質(zhì)量和可靠性.以5G通信為例,基站與終端設(shè)備之間需要進(jìn)行高速,大容量的數(shù)據(jù)傳輸,這就要求信號(hào)具有極高的穩(wěn)定性和準(zhǔn)確性.如果信號(hào)的相位噪聲過大,就會(huì)導(dǎo)致信號(hào)在傳輸過程中出現(xiàn)失真,誤碼等問題,從而降低通信的速率和質(zhì)量,甚至可能導(dǎo)致通信中斷.而泰藝電子的新型低相位噪聲VCXO,能夠?qū)⑾辔辉肼暯档偷綐O低的水平,有效提高了信號(hào)的抗干擾能力和傳輸穩(wěn)定性,為5G通信的高效運(yùn)行提供了有力保障.

在雷達(dá)系統(tǒng)中,相位噪聲同樣是影響其性能的關(guān)鍵因素.雷達(dá)通過發(fā)射和接收電磁波來探測(cè)目標(biāo)的位置,速度和形狀等信息,而相位噪聲會(huì)導(dǎo)致雷達(dá)回波信號(hào)的相位發(fā)生抖動(dòng),從而降低雷達(dá)的分辨率和目標(biāo)檢測(cè)能力.特別是在對(duì)遠(yuǎn)距離目標(biāo)或微小目標(biāo)的探測(cè)中,低相位噪聲的振蕩器能夠提供更清晰,更準(zhǔn)確的回波信號(hào),大大提高了雷達(dá)系統(tǒng)的探測(cè)精度和可靠性.例如,在軍事領(lǐng)域的防空雷達(dá)中,低相位噪聲的VCXO能夠幫助雷達(dá)更快速,更準(zhǔn)確地發(fā)現(xiàn)敵方飛行器或?qū)椀饶繕?biāo),為防空作戰(zhàn)提供寶貴的預(yù)警時(shí)間.

技術(shù)突破:革新背后的強(qiáng)大支撐

泰藝電子這款新型低相位噪聲電壓控制晶體振蕩器之所以能夠?qū)崿F(xiàn)如此卓越的性能,離不開其背后一系列的技術(shù)突破和創(chuàng)新.在電路設(shè)計(jì)方面,臺(tái)灣泰藝晶振電子的研發(fā)團(tuán)隊(duì)采用了先進(jìn)的低噪聲電路架構(gòu),通過優(yōu)化電路布局和信號(hào)傳輸路徑,有效減少了電路內(nèi)部的噪聲干擾.例如,他們運(yùn)用了高精度的差分放大器和低噪聲的運(yùn)算放大器,來對(duì)振蕩信號(hào)進(jìn)行精確的放大和處理,從而降低了信號(hào)在放大過程中引入的噪聲.同時(shí),研發(fā)團(tuán)隊(duì)還精心設(shè)計(jì)了電源管理電路,確保為振蕩器提供穩(wěn)定,純凈的電源,進(jìn)一步減少了因電源波動(dòng)而產(chǎn)生的噪聲影響.此外,通過采用特殊的濾波電路和屏蔽技術(shù),將外界的電磁干擾降到了最低,保證了振蕩器在復(fù)雜電磁環(huán)境下也能穩(wěn)定工作.優(yōu)質(zhì)的材料選擇也是這款產(chǎn)品成功的關(guān)鍵因素之一.泰藝電子選用了高品質(zhì)的石英晶體作為振蕩元件,石英晶體具有極高的頻率穩(wěn)定性和低損耗特性,是制作振蕩器的理想材料.為了進(jìn)一步提高石英晶體的性能,泰藝電子在晶體的切割工藝和鍍膜技術(shù)上進(jìn)行了創(chuàng)新.通過精確控制晶體的切割角度和厚度,使得晶體的諧振頻率更加穩(wěn)定,相位噪聲更低.在鍍膜方面,采用了先進(jìn)的納米級(jí)鍍膜技術(shù),在晶體表面鍍上一層均勻,致密的金屬膜,不僅提高了晶體的電氣性能,還增強(qiáng)了其抗干擾能力和可靠性.此外,在其他關(guān)鍵元器件的選擇上,泰藝電子也嚴(yán)格把關(guān),選用了低噪聲,高性能的電阻,電容和電感等元件,這些高品質(zhì)的元器件相互配合,共同為低相位噪聲性能提供了堅(jiān)實(shí)的保障.

應(yīng)用領(lǐng)域:多場(chǎng)景的廣泛適配

憑借其卓越的低相位噪聲性能和穩(wěn)定的頻率輸出,這款新型電壓控制晶體振蕩器在眾多領(lǐng)域都有著廣泛的應(yīng)用前景,為不同行業(yè)的技術(shù)升級(jí)和創(chuàng)新發(fā)展提供了有力支持.在通信領(lǐng)域,無論是5G基站,衛(wèi)星通信晶振還是物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備,都對(duì)頻率的穩(wěn)定性和相位噪聲有著嚴(yán)格的要求.5G基站需要處理海量的數(shù)據(jù)傳輸,對(duì)時(shí)間同步和頻率精度的要求極高.新型低相位噪聲VCXO能夠?yàn)?G基站的射頻模塊提供穩(wěn)定的時(shí)鐘信號(hào),確保基站在高速數(shù)據(jù)傳輸過程中信號(hào)的準(zhǔn)確性和可靠性,有效降低誤碼率,提升通信質(zhì)量.在衛(wèi)星通信中,由于信號(hào)需要在長(zhǎng)距離傳輸過程中保持高度的穩(wěn)定性,以克服信號(hào)衰減和干擾等問題,低相位噪聲的振蕩器成為了關(guān)鍵組件.它能夠保證衛(wèi)星與地面站之間的通信鏈路穩(wěn)定,實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的語(yǔ)音,數(shù)據(jù)和圖像傳輸.對(duì)于物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備而言,它們通常需要在復(fù)雜的環(huán)境中與其他設(shè)備進(jìn)行通信和數(shù)據(jù)交互,低相位噪聲的VCXO可以幫助這些設(shè)備在有限的帶寬和能量條件下,實(shí)現(xiàn)更高效,更穩(wěn)定的通信,確保物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)的正常運(yùn)行.計(jì)算機(jī)及數(shù)據(jù)處理領(lǐng)域同樣離不開高精度的頻率源.在數(shù)據(jù)中心的服務(wù)器中,處理器需要精確的時(shí)鐘信號(hào)來協(xié)調(diào)各個(gè)組件的工作,以確保數(shù)據(jù)的快速處理和傳輸.新型低相位噪聲晶體振蕩器能夠?yàn)榉?wù)器的CPU,內(nèi)存和高速接口等組件提供穩(wěn)定的時(shí)鐘,提高服務(wù)器的運(yùn)算速度和數(shù)據(jù)處理能力,滿足大數(shù)據(jù)分析,云計(jì)算等應(yīng)用對(duì)高性能計(jì)算的需求.在高性能計(jì)算機(jī)中,其對(duì)頻率穩(wěn)定性的要求更為苛刻,低相位噪聲的VCXO能夠減少時(shí)鐘信號(hào)的抖動(dòng),提高計(jì)算機(jī)的運(yùn)算精度和可靠性,為科學(xué)計(jì)算,人工智能等領(lǐng)域的復(fù)雜運(yùn)算提供堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ).

在儀器儀表行業(yè),高精度的測(cè)量是關(guān)鍵.示波器,頻譜分析儀,信號(hào)發(fā)生器等儀器設(shè)備都需要精確的時(shí)間和頻率基準(zhǔn)來保證測(cè)量結(jié)果的準(zhǔn)確性.新型低相位噪聲電壓控制晶體振蕩器作為這些儀器的核心組件,能夠?yàn)槠涮峁┓€(wěn)定的時(shí)鐘信號(hào),顯著提高測(cè)量設(shè)備的精度和分辨率.在對(duì)微弱信號(hào)進(jìn)行測(cè)量時(shí),低相位噪聲的特性可以有效減少噪聲對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響,使測(cè)量設(shè)備能夠更準(zhǔn)確地捕捉和分析信號(hào)的特征,為科研,工業(yè)生產(chǎn)等提供可靠的數(shù)據(jù)支持.便攜式消費(fèi)電子晶振領(lǐng)域也能看到新型晶體振蕩器的身影.在智能手機(jī)中,VCXO用于為處理器,射頻模塊,顯示屏等組件提供時(shí)鐘信號(hào),低相位噪聲可以保證手機(jī)在運(yùn)行各種應(yīng)用程序時(shí)的穩(wěn)定性和流暢性,同時(shí)提升手機(jī)的通信質(zhì)量和定位精度.在智能手表等可穿戴設(shè)備中,由于其體積小,功耗低的特點(diǎn),對(duì)振蕩器的性能要求也越來越高.新型低相位噪聲晶體振蕩器不僅能夠滿足這些設(shè)備對(duì)頻率穩(wěn)定性的需求,還能通過低功耗設(shè)計(jì)延長(zhǎng)設(shè)備的續(xù)航時(shí)間,為用戶帶來更好的使用體驗(yàn).

市場(chǎng)反響:好評(píng)如潮的行業(yè)認(rèn)可

自泰藝電子新型低相位噪聲電壓控制晶體振蕩器推出以來,在市場(chǎng)上引起了強(qiáng)烈的反響,獲得了行業(yè)內(nèi)的廣泛認(rèn)可和好評(píng).根據(jù)市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)的數(shù)據(jù)顯示,在產(chǎn)品推出后的短短幾個(gè)月內(nèi),其市場(chǎng)關(guān)注度持續(xù)攀升,咨詢量和訂單量呈現(xiàn)出爆發(fā)式增長(zhǎng).在通信領(lǐng)域,多家5G設(shè)備制造商對(duì)這款新型VCXO表現(xiàn)出了濃厚的興趣,并已開始進(jìn)行產(chǎn)品試用和測(cè)試.其中一家知名的5G基站設(shè)備供應(yīng)商表示:"泰藝電子的新型低相位噪聲VCXO,在我們的5G基站測(cè)試中表現(xiàn)出色,有效降低了信號(hào)的誤碼率,提升了基站的通信質(zhì)量和穩(wěn)定性.相比我們之前使用的其他品牌產(chǎn)品,其相位噪聲更低,頻率穩(wěn)定性更高,完全滿足了我們對(duì)5G基站高性能時(shí)鐘源的需求.我們計(jì)劃在后續(xù)的基站建設(shè)中,逐步加大對(duì)這款產(chǎn)品的采購(gòu)量."在儀器儀表行業(yè),一些高端測(cè)量?jī)x器制造商也對(duì)新型晶體振蕩器給予了高度評(píng)價(jià).某國(guó)際知名的頻譜分析儀生產(chǎn)企業(yè)在使用后反饋:"這款低相位噪聲的VCXO為我們的頻譜分析儀帶來了更高的測(cè)量精度和分辨率,能夠更準(zhǔn)確地捕捉和分析微弱信號(hào),大大提升了我們產(chǎn)品的性能和競(jìng)爭(zhēng)力.泰藝電子在技術(shù)研發(fā)上的實(shí)力和創(chuàng)新能力令人欽佩,他們的產(chǎn)品為我們的儀器儀表升級(jí)提供了有力的支持."除了客戶的直接反饋,行業(yè)內(nèi)的專業(yè)媒體和分析師也對(duì)泰藝電子的新型產(chǎn)品給予了積極的評(píng)價(jià).有行業(yè)分析師指出:"泰藝電子此次推出的新型低相位噪聲電壓控制晶體振蕩器,不僅填補(bǔ)了市場(chǎng)在高性能頻率控制產(chǎn)品方面的部分空白,也為整個(gè)行業(yè)的技術(shù)發(fā)展樹立了新的標(biāo)桿.在當(dāng)前5G通信,物聯(lián)網(wǎng),人工智能等新興技術(shù)快速發(fā)展的背景下,對(duì)頻率穩(wěn)定性和相位噪聲要求越來越高,泰藝電子的這款產(chǎn)品正好順應(yīng)了這一市場(chǎng)趨勢(shì),具有廣闊的市場(chǎng)前景."這些來自市場(chǎng)的積極反饋,不僅證明了泰藝電子新型低相位噪聲電壓控制晶體振蕩器的卓越性能和技術(shù)優(yōu)勢(shì),也為其未來的市場(chǎng)拓展和行業(yè)應(yīng)用奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ).相信在未來,隨著更多客戶的認(rèn)可和應(yīng)用,這款產(chǎn)品將在各個(gè)領(lǐng)域發(fā)揮重要作用,助力電子科技產(chǎn)業(yè)邁向新的高度.

未來展望:持續(xù)創(chuàng)新,引領(lǐng)行業(yè)發(fā)展

泰藝電子新型低相位噪聲無線控制器設(shè)備晶振的成功推出,無疑是其發(fā)展歷程中的又一重要里程碑.這款產(chǎn)品不僅展現(xiàn)了泰藝電子在頻率控制技術(shù)領(lǐng)域的深厚積累和卓越創(chuàng)新能力,也為其進(jìn)一步鞏固市場(chǎng)地位,拓展業(yè)務(wù)版圖奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ).展望未來,泰藝電子將繼續(xù)秉承創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)的發(fā)展理念,加大在研發(fā)方面的投入,不斷探索晶體振蕩器領(lǐng)域的新技術(shù),新工藝和新材料.隨著5G通信,物聯(lián)網(wǎng),人工智能,大數(shù)據(jù)等新興技術(shù)的快速發(fā)展,對(duì)頻率控制產(chǎn)品的性能要求也將越來越高.泰藝電子將緊緊抓住這一市場(chǎng)機(jī)遇,針對(duì)不同應(yīng)用領(lǐng)域的需求,研發(fā)出更多高性能,低功耗,小型化的晶體振蕩器產(chǎn)品,以滿足市場(chǎng)不斷變化的需求.

在技術(shù)創(chuàng)新方面,泰藝電子可能會(huì)在以下幾個(gè)方向展開深入研究:進(jìn)一步降低相位噪聲,提高頻率穩(wěn)定性,以滿足對(duì)信號(hào)精度要求極高的應(yīng)用場(chǎng)景,如高精度衛(wèi)星導(dǎo)航,量子通信等;研發(fā)更低功耗的晶體振蕩器,以適應(yīng)物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備,可穿戴設(shè)備晶振等對(duì)續(xù)航能力的嚴(yán)格要求,延長(zhǎng)設(shè)備的使用時(shí)間,降低能源消耗;探索小型化和集成化的技術(shù)路徑,將晶體振蕩器與其他電子元件進(jìn)行集成,減小產(chǎn)品體積,提高系統(tǒng)的集成度和可靠性,為電子產(chǎn)品的輕薄化,小型化發(fā)展提供支持.除了技術(shù)創(chuàng)新,泰藝電子還將注重提升產(chǎn)品質(zhì)量和服務(wù)水平.通過優(yōu)化生產(chǎn)流程,加強(qiáng)質(zhì)量管理,確保每一款產(chǎn)品都能達(dá)到高品質(zhì)標(biāo)準(zhǔn),為客戶提供可靠的產(chǎn)品保障.同時(shí),不斷完善客戶服務(wù)體系,加強(qiáng)與客戶的溝通與合作,及時(shí)了解客戶需求,提供快速,高效的技術(shù)支持和售后服務(wù),提升客戶滿意度和忠誠(chéng)度.憑借著強(qiáng)大的技術(shù)實(shí)力,卓越的創(chuàng)新能力和對(duì)市場(chǎng)需求的敏銳洞察力,相信泰藝電子在未來的晶體振蕩器領(lǐng)域?qū)⒗^續(xù)保持領(lǐng)先地位,不斷推出更多具有創(chuàng)新性和競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品,為全球電子科技產(chǎn)業(yè)的發(fā)展做出更大的貢獻(xiàn).讓我們共同期待泰藝電子在未來帶給我們更多的驚喜和突破,攜手共創(chuàng)電子科技行業(yè)的美好未來.

TAITIEN新型低相位噪聲電壓控制晶體振蕩器引領(lǐng)行業(yè)新變革

NI-10M-3510	Taitien	NI-10M-3500	OCXO	10 MHz	CMOS	5V	±0.2ppb
NI-10M-3560	Taitien	NI-10M-3500	OCXO	10 MHz	CMOS	5V	±0.1ppb
OXETECJANF-40.000000	Taitien	OX	XO	40 MHz	CMOS	2.8V ~ 3.3V	±30ppm
OXETGCJANF-25.000000	Taitien	OX	XO	25 MHz	CMOS	2.8V ~ 3.3V	±50ppm
OXETGLJANF-24.576000	Taitien	OX	XO	24.576 MHz	CMOS	2.8V ~ 3.3V	±50ppm
OXETHEJANF-12.000000	Taitien	OX	XO	12 MHz	CMOS	2.8V ~ 3.3V	±100ppm
OXETGCJANF-36.000000	Taitien	OX	XO	36 MHz	CMOS	2.8V ~ 3.3V	±50ppm
OXETGLJANF-40.000000	Taitien	OX	XO	40 MHz	CMOS	2.8V ~ 3.3V	±50ppm
OXETGCJANF-16.000000	Taitien	OX	XO	16 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OXETGCJANF-24.576000	Taitien	OX	XO	24.576 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OXETGCJANF-27.000000	Taitien	OX	XO	27 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OXETGLJANF-16.000000	Taitien	OX	XO	16 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OXKTGLJANF-19.200000	Taitien	OX	XO	19.2 MHz	CMOS	1.8V	±50ppm
OXKTGLJANF-26.000000	Taitien	OX	XO	26 MHz	CMOS	1.8V	±50ppm
OXETGCJANF-50.000000	Taitien	OX	XO	50 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OXETGCJANF-54.000000	Taitien	OX	XO	54 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OXETGLJANF-27.000000	Taitien	OX	XO	27 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OXKTGLKANF-26.000000	Taitien	OX	XO	26 MHz	CMOS	1.8V	±50ppm
OCETDCJTNF-66.000000MHZ	Taitien	OC	XO	66 MHz	CMOS	2.8V ~ 3.3V	±25ppm
OXETECJANF-27.000000	Taitien	OX	XO	27 MHz	CMOS	2.8V ~ 3.3V	±30ppm
OXETGJJANF-7.680000	Taitien	OX	XO	7.68 MHz	CMOS	2.8V ~ 3.3V	±50ppm
OYETCCJANF-12.288000	Taitien	OY	XO	12.288 MHz	CMOS	2.8V ~ 3.3V	±20ppm
OXETGLJANF-38.880000	Taitien	OX	XO	38.88 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OCETDCKANF-12.800000	Taitien	OC	XO	12.8 MHz	CMOS	3.3V	±25ppm
OCETECJANF-25.000000	Taitien	OC	XO	25 MHz	CMOS	3.3V	±30ppm
OCETCCJANF-12.000000	Taitien	OC	XO	12 MHz	CMOS	3.3V	±20ppm
OCETCCJANF-25.000000	Taitien	OC	XO	25 MHz	CMOS	3.3V	±20ppm
OCETDCKTNF-50.000000	Taitien	OC	XO	50 MHz	CMOS	3.3V	±25ppm
OCETDLJANF-2.048000	Taitien	OC	XO	2.048 MHz	CMOS	3.3V	±25ppm
OCETELJANF-8.000000	Taitien	OC	XO	8 MHz	CMOS	3.3V	±30ppm
OCETGCJANF-12.000000	Taitien	OC	XO	12 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OCETGCJANF-24.576000	Taitien	OC	XO	24.576 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OCETGCJANF-4.000000	Taitien	OC	XO	4 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OCETGCJTNF-100.000000	Taitien	OC	XO	100 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OCETGLJTNF-50.000000	Taitien	OC	XO	50 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OCETGLKANF-20.000000	Taitien	OC	XO	20 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OCETGLKANF-25.000000	Taitien	OC	XO	25 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OCETHCJTNF-100.000000	Taitien	OC	XO	100 MHz	CMOS	1.8V	±100ppm
OCKTGLJANF-20.000000	Taitien	OC	XO	20 MHz	CMOS	1.8V	±50ppm
OCKTGLJANF-30.000000	Taitien	OC	XO	30 MHz	CMOS	1.8V	±50ppm
OCKTGLJANF-12.000000	Taitien	OC	XO	12 MHz	CMOS	1.8V	±50ppm
OCKTGLJANF-31.250000	Taitien	OC	XO	31.25 MHz	CMOS	1.8V	±50ppm
OCETDCJANF-12.000000	Taitien	OC	XO	12 MHz	CMOS	3.3V	±25ppm
OCETDCJTNF-50.000000	Taitien	OC	XO	50 MHz	CMOS	3.3V	±25ppm
OCETGCJANF-33.333000	Taitien	OC	XO	33.333 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OCETGLJTNF-66.667000	Taitien	OC	XO	66.667 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OCETGLJANF-27.000000	Taitien	OC	XO	27 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OCETGLJANF-33.333000	Taitien	OC	XO	33.333 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OCETGLJTNF-66.000000	Taitien	OC	XO	66 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OCETGLJTNF-80.000000	Taitien	OC	XO	80 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OCJTDCJANF-25.000000	Taitien	OC	XO	25 MHz	CMOS	2.5V	±25ppm
OCKTGLJANF-24.000000	Taitien	OC	XO	24 MHz	CMOS	1.8V	±50ppm
OXETGLJANF-12.000000	Taitien	OX	XO	12 MHz	CMOS	2.8V ~ 3.3V	±50ppm
OXETDLJANF-8.704000	Taitien	OX	XO	8.704 MHz	CMOS	2.8V ~ 3.3V	±25ppm
OXKTGCJANF-37.125000	Taitien	OX	XO	37.125 MHz	CMOS	1.8V	±50ppm
OXETCLJANF-26.000000	Taitien	OX	XO	26 MHz	CMOS	2.8V ~ 3.3V	±20ppm
OXETDLJANF-25.000000	Taitien	OX	XO	25 MHz	CMOS	2.8V ~ 3.3V	±25ppm
OXETGLJANF-48.000000	Taitien	OX	XO	48 MHz	CMOS	2.8V ~ 3.3V	±50ppm
OXJTDLJANF-25.000000	Taitien	OX	XO	25 MHz	CMOS	2.5V	±25ppm
OXJTGLJANF-25.000000	Taitien	OX	XO	25 MHz	CMOS	2.5V	±50ppm

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