您好，歡迎光臨帝國科技！
產(chǎn)品分類
PRODUCT
PRODUCT
- 國產(chǎn)晶振
- 聲表面濾波器
- 石英晶體
- 石英晶振
- 貼片晶振
- 陶瓷晶振
- 陶瓷濾波器
- 陶瓷霧化片
- 進(jìn)口晶振
- MERCURY晶振
- Fujicom晶振
- 日本大真空晶振
- 愛普生晶振
- 西鐵城晶振
- 精工晶振
- 村田陶瓷晶振
- 日本京瓷晶振
- 日本進(jìn)口NDK晶體
- 大河晶振
- TXC晶振
- 亞陶晶振
- 臺灣泰藝晶體
- 臺灣鴻星晶體
- 美國CTS晶體
- 微孔霧化片
- 加高晶振
- 希華石英晶振
- AKER晶振
- NAKA晶振
- SMI晶振
- NJR晶振
- NKG晶振
- Sunny晶振
- 歐美晶振
- Abracon晶振
- ECS晶振
- Golledge晶振
- IDT晶振
- Jauch晶振
- Pletronics晶振
- Raltron晶振
- SiTime晶振
- Statek晶振
- Greenray晶振
- 康納溫菲爾德晶振
- Ecliptek晶振
- Rakon晶振
- Vectron晶振
- 微晶晶振
- AEK晶振
- AEL晶振
- Cardinal晶振
- Crystek晶振
- Euroquartz晶振
- FOX晶振
- Frequency晶振
- GEYER晶振
- KVG晶振
- ILSI晶振
- MMDCOMP晶振
- MtronPTI晶振
- QANTEK晶振
- QuartzCom晶振
- Quarztechnik晶振
- Suntsu晶振
- Transko晶振
- Wi2Wi晶振
- ACT晶振
- MTI晶振
- Lihom晶振
- Rubyquartz晶振
- Oscilent晶振
- SHINSUNG晶振
- ITTI晶振
- PDI晶振
- ARGO晶振
- IQD晶振
- Microchip晶振
- Silicon晶振
- Fortiming晶振
- CORE晶振
- NIPPON晶振
- NICKC晶振
- QVS晶振
- Bomar晶振
- Bliley晶振
- GED晶振
- FILTRONETICS晶振
- STD晶振
- Q-Tech晶振
- Anderson晶振
- Wenzel晶振
- NEL晶振
- EM晶振
- PETERMANN晶振
- FCD-Tech晶振
- HEC晶振
- FMI晶振
- Macrobizes晶振
- AXTAL晶振
帝國博客
更多>>
- 規(guī)格型號：55563822
- 頻率：5~50MHZ
- 尺寸：5.0*3.2mm詳細(xì)內(nèi)容請瀏覽PDF文檔.
- 產(chǎn)品描述：5032mm體積的石英晶體振蕩器有源晶振,改產(chǎn)品可驅(qū)動2.5V的溫補(bǔ)晶振,壓控晶振,VC-TCXO晶體振蕩器產(chǎn)品,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對應(yīng)自動高速貼片機(jī)自動焊接,及IR回流焊接（無鉛對應(yīng)）,為無鉛產(chǎn)品,超小型,質(zhì)地...
DSV532SB晶振,日本大真空晶振,溫補(bǔ)振蕩器
航欄(13).jpg)
DSV532SB晶振,日本大真空晶振,溫補(bǔ)振蕩器,5032mm體積的石英晶體振蕩器有源晶振,該產(chǎn)品可驅(qū)動2.5V的溫補(bǔ)晶振,壓控晶振,VC-TCXO晶體振蕩器產(chǎn)品,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對應(yīng)自動高速貼片機(jī)自動焊接,及IR回流焊接（無鉛對應(yīng)）,為無鉛產(chǎn)品,超小型,質(zhì)地輕.產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用到集成電路,程控交換系統(tǒng),無線發(fā)射基站.
| 規(guī)格參數(shù) | DSV532SB |
| 頻率范圍 | 5.0~50.0MHZ |
| 電源電壓 | +5.0V±0.5V |
| 出力負(fù)荷 | 15pF |
|
周波數(shù)安定度 常溫偏差 |
±50×10-6 max |
| 工作溫度 | -40~+85℃ |
| 儲存溫度 | -10~+70℃ |
| 消費(fèi)電流 | 15mA max |
| 負(fù)荷變動特性 | ±0.2×10-6 max |
| 電源電壓特性 | ±0.2×10-6 max (Vcc±5%) |
| 老化率 | ±1.0×10-6 max /year |
| 起動時間 | 2.0ms max |
.jpg)
石英材料中的二氧化硅分子(SiO2) 在正常狀態(tài)下, 其電偶極是互相平衡的電中性. 在(圖二左)的二氧化硅是以二維空間的簡化圖形. 當(dāng)我們在硅原子上方及氧原子下方分別給予正電場及負(fù)電場時, 空間系統(tǒng)為了維持電位平衡, 兩個氧原子會相互排斥, 在氧原子下方形成一個感應(yīng)正電場區(qū)域, 同時在硅原子上方產(chǎn)生感應(yīng)負(fù)電場區(qū)域. 相反的情況, 當(dāng)我們在硅原子上方及氧原子下方分別給予負(fù)電場及正電場時, 兩個氧原子會相互靠近, 氧原子下方產(chǎn)生感應(yīng)負(fù)電場,硅原子上方產(chǎn)生感應(yīng)正電場. (圖二). 然而, 氧原子的水平位置變化時, 鄰近的另一個氧原子會相對的產(chǎn)生排斥或吸引的力量, 迫使氧原子回到原來的空間位置. 因此, 電場的力量與原子之間的力量會相互牽動, 電場的改變與水平方向的形變是形成交互作用狀態(tài). 這個交互作用會形成一個在石英材料耗能最小的振動狀態(tài), 祇要由電場持續(xù)給與能量, 石英材料就會與電場之間維持一個共振的頻率. 這個壓電效應(yīng)下氧原子的振幅與電場強(qiáng)度及電場對二氧化硅的向量角度有相對應(yīng)的關(guān)系.在實(shí)際的應(yīng)用上, 電場是由鍍在石英芯片上的金屬電極產(chǎn)生, 電場與二氧化硅的向量角度則是由石英晶棒的切割角度來決定.
.jpg)
.jpg)
在所有領(lǐng)域的業(yè)務(wù)活動,從開發(fā),生產(chǎn)和銷售水晶的應(yīng)用產(chǎn)品,大真空集團(tuán)業(yè)務(wù)策略促進(jìn)普遍信任的環(huán)境管理活動.
大真空集團(tuán)將:
1.主動在能源和資源節(jié)約通過適當(dāng)?shù)乜刂莆镔|(zhì)與環(huán)境的影響和減少它們的使用.
2.有效利用資源,防止環(huán)境污染的減少和妥善處理廢物,包括重用和回收.
3.防止全球變暖,開展節(jié)能活動,減少二氧化碳排放.
4.避免采購或使用礦物質(zhì),直接或間接金融或受益武裝組織在剛果民主共和國或鄰近的國家.
5.遵守有關(guān)環(huán)境的法律、標(biāo)準(zhǔn)、協(xié)議和任何其他公司訂閱需求.
6.基于這個環(huán)境政策制定環(huán)境目標(biāo)和目標(biāo),同時促進(jìn)這些活動還經(jīng)常審查環(huán)境管理體系的持續(xù)改進(jìn).
7. 教育所有員工和那些為我們組工作在我們的環(huán)境政策和提高環(huán)境保護(hù)的意識教育和宣傳活動.
8.確保信息在我們的環(huán)境保護(hù)活動是向公眾開放.
深圳市帝國科技有限公司SHENZHEN DIGUO TECHONLOGY CO.,LTD
聯(lián)系人：譚蘭艾 手 機(jī)：86-13826527865
電 話：86-0755-27881119 QQ：921977998
E-mail：dgkjly@163.com
網(wǎng) 址：www.guazigou.com
地 址：中國廣東省深圳市寶安區(qū)西鄉(xiāng)大道新湖路
業(yè)務(wù)經(jīng)理
