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- 規(guī)格型號(hào)：46261097
- 頻率：9.6~40MHZ
- 尺寸：2.5*2.0mm詳細(xì)內(nèi)容請(qǐng)瀏覽PDF文檔
- 產(chǎn)品描述：有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動(dòng)CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現(xiàn)與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時(shí)的消費(fèi)電流是15 μA以下,編帶包裝方式可對(duì)應(yīng)自動(dòng)搭載及IR回流焊接（無...
KDS貼片溫補(bǔ)晶振,DSB221SDB晶振,通訊產(chǎn)品2520晶振
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KDS貼片溫補(bǔ)晶振,DSB221SDB晶振,通訊產(chǎn)品2520晶振,是指晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動(dòng)CMOS 集成電路,DSB221SDB溫補(bǔ)振蕩器,產(chǎn)品本身已實(shí)現(xiàn)與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時(shí)的消費(fèi)電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對(duì)應(yīng)自動(dòng)搭載及IR回流焊接（無鉛對(duì)應(yīng)）產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對(duì)不同IC產(chǎn)品需要.
| 規(guī)格參數(shù) | DSB221SDB |
| 頻率范圍 | 9.6~40.0MHZ |
| 電源電壓 | +1.7V~+3.5V |
| 負(fù)載電容 | 10pF |
| 存儲(chǔ)溫度 | -40~+85℃ |
| 工作溫度 | -10~+70℃/-30~+85℃ |
| 溫度特征 |
±2.5×10-6 max /-30~+85℃ ±2.5×10-6 max /-30~+85℃ (Option) |
| 消費(fèi)電流 | 2.9mA max [No Load] |
| 對(duì)稱性 | 45~55% [50% Vcc Level] |
| 輸出電壓 | Vcc×0.1 max / Vcc×0.9 min |
| 老化率 | ±1.0×10-6 max /year |
| 相位抖動(dòng) | 1.5ps max (fo offset : 12KHz~5MHz) |
| 起動(dòng)時(shí)間 | 2.0ms max |
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激勵(lì)功率
在晶體單元上施加過多驅(qū)動(dòng)力,會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品特性受到損害或破壞.電路設(shè)計(jì)必須能夠維持適當(dāng)?shù)募?lì)功率.
負(fù)極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負(fù)極電阻,否則振蕩或振蕩啟動(dòng)時(shí)間可能會(huì)增加.
負(fù)載電容
振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過強(qiáng)力調(diào)整,可能只會(huì)導(dǎo)致不正常的振蕩.在使用之前,請(qǐng)指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容.
近來由于污染排放總量管制受到應(yīng)有重視,各種污染減量與管理機(jī)制的議題已陸續(xù)成為主管機(jī)關(guān)與企業(yè)間執(zhí)行污染防制的重點(diǎn),而大真空電子本身由于受到環(huán)保機(jī)關(guān)污染總量管制,污染物排放量有一定的承諾限值,加上各類相關(guān)環(huán)保議題的要求,亦訂定與規(guī)劃相關(guān)減量目標(biāo),全力保護(hù)有限的地球資源與環(huán)境.有鑒于環(huán)保意識(shí)抬頭,大真空電子多年來在環(huán)保工作上持續(xù)努力,期望藉由環(huán)境管理、自發(fā)且持續(xù)的改善,達(dá)到改善環(huán)境、減少環(huán)境沖擊的實(shí)質(zhì)目的.本公司于2002年6月開始推行ISO 14001環(huán)境管理系統(tǒng),持續(xù)改善整體環(huán)境并有助提高經(jīng)營(yíng)績(jī)效,同時(shí)強(qiáng)化內(nèi)外銷競(jìng)爭(zhēng)力與提升公司形象.我們承諾將會(huì)持續(xù)維護(hù)ISO 14001環(huán)境管何可能污染環(huán)境的因素,善盡社會(huì)責(zé)任.
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