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更多>>一起來(lái)看看可編程的有源石英晶體振蕩器
來(lái)源:http://www.guazigou.com 作者:帝國(guó)科技 2017年09月27
編程這個(gè)詞對(duì)我們晶振行業(yè)來(lái)說(shuō)算的上是陌生名詞,但電腦編程程序編程員我們還會(huì)有聽(tīng)過(guò)的,就是不知道他們具體是做什么的。所以一般如果有人跟你說(shuō)自己是搞編程的一定會(huì)讓你感到絲絲神秘感吧,但不用著急,現(xiàn)在我們晶振也有編程了,一起來(lái)看看這是怎樣一顆神秘的石英晶振。
那么可編程石英晶振目前市場(chǎng)如何呢?可編程石英晶振目前市場(chǎng)前景在中國(guó)國(guó)內(nèi)來(lái)說(shuō)市場(chǎng)并不是很好,國(guó)內(nèi)主要還是使用常規(guī)的壓電石英晶體振蕩器多點(diǎn),目前硅晶體可編程系列在國(guó)內(nèi)接受度并沒(méi)有得到廣泛的認(rèn)可,說(shuō)難聽(tīng)點(diǎn)很多人連聽(tīng)都沒(méi)聽(tīng)說(shuō)過(guò),更別說(shuō)使用了。
目前國(guó)內(nèi)市場(chǎng)有用到硅晶體可編程貼片晶振的企業(yè)主要以歐美企業(yè),以及代工歐美OEM的企業(yè)比較多,因?yàn)榭删幊逃性淳д裨跉W盟接受度還是比較大的。不過(guò)可硅晶體編程有源晶振對(duì)于一些工程設(shè)計(jì),或者產(chǎn)品開(kāi)發(fā)人士來(lái)說(shuō)是件非常好的事情,因?yàn)楹芏喈a(chǎn)品在開(kāi)發(fā)階段使用頻率都還處在選型階段,而且硅晶體屬于可編程貼片晶振,這樣就大大的滿足了工程設(shè)計(jì)階段樣品采購(gòu)。.jpg)
什么叫做可編程晶振?其實(shí)可編程還有個(gè)很好聽(tīng)的名字叫做:硅晶體,可編程石英晶振簡(jiǎn)單的解釋就是,把你需要的晶振頻率,精度,電壓,負(fù)載等要求提供過(guò)來(lái),在通過(guò)簡(jiǎn)單的電腦編輯器,把你需要的這些參數(shù)在電腦控制器上,輸入你所提供的參數(shù),然后按下確定鍵就可以把頻率,電壓等參數(shù)寫(xiě)入到空白的晶振片上。如果還是不明白你就想一下,IC是怎么編程的,原理跟IC編程一個(gè)道理,只不過(guò)IC編程有分為電腦編輯以及手工模擬編輯,手工模擬編輯就是把一顆工片放在主機(jī)上,母片放入編輯機(jī)的附件,按下確定就可以把公片上的IC系列參數(shù)復(fù)制進(jìn)入母片,不過(guò)目前可編輯的石英晶振現(xiàn)在還沒(méi)做到這種地步。
愛(ài)普生晶振可編程晶振 SG-8101CA SG-8101CB SG-8101CE SG-8101CG
Size: 7.0 x 5.0 x 1.3mm Typ. 5.0 x 3.2 x 1.1mm Typ. 3.2 x 2.5 x 1.05mm Typ. 2.5 x 2.0 x 0.7mm Typ.
Output CMOS Frequency range [ f0 ] 0.67 MHz to 170 MHz
Supply voltage [ Vcc] 1.62 V to 3.63 V (1.8 V Typ. / 2.5 V Typ. / 3.3V Typ. )
Frequency tolerance /Operating temperature ±15 x 10-6 / -40℃ to +85℃ ±20 x 10-6 / -40℃ to +105℃ ±50 x 10-6 / -40℃ to +105℃
Current consumption f0 = 20 MHz 3.0 mA Typ. ( Vcc = 3.3V , +25℃) 3.5 mA Max. ( Vcc = 3.3V , +105℃)
f0 = 170 MHz 6.8 mA Typ. ( Vcc = 3.3V , +25℃) 8.1 mA Max. ( Vcc = 3.3V , +105℃) Standby current 0.3 µA Typ. (Vcc = 1.8V , +25℃ ) 0.9 µA Typ. (Vcc = 1.8V , +105℃ )
Field oscillator programming tool SG-Writer II愛(ài)普生晶振可編程系列.jpg)
目前石英晶振行業(yè)可編輯的只針對(duì)貼片晶振系列產(chǎn)品,并且只限定有源晶振的石英晶體振蕩器OSC系列尺寸。如果是普通無(wú)源石英晶體諧振器系列的話,目前是還不支持可編程的,并且是指針對(duì)SMD晶振系列,如果是引線型的插件晶振目前也不在支持范圍。
編程器與FP空白片 任意頻率,多種規(guī)格: SiT6100DK(SiTime硅晶振編程器套裝);SiT800X/ SiT200X(低功耗可編程晶振空白片,6種封裝尺寸);SiT8208/9A1-X1-XXX-000.FP000(低抖動(dòng)可編程晶振空白片);SiT912X/ SiT38XX(壓控差分可編程晶振空白片,3種封裝尺寸)。
SiTime硅晶振選型表:普通單端振蕩器XO 1-220MHz ;高性能、低抖動(dòng) <1 ps Phase Jitter ±10ppm SiT8208(1-80MHz) SiT8209(80.000001-220 MHz); 低功耗系列 <3.8mA SiT8008(1-110MHz,最小封裝尺寸2.0×1.6mm) SiT8009(115-137MHz); 業(yè)界首款SOT23封裝振蕩器 成本更低 SiT2001(1-110MHz,SOT23-5封裝2.9×2.8mm) SiT2002(115-137MHz) RTC時(shí)鐘32.768KHz ; 超低功耗,超高精度 典型值0.9uA ±20ppm SiT1533(2.0×1.2mm,SMD) SiT1532(1.5×0.8mm,CSP) SiT1630(2012 SMD,-40~105℃) ; 業(yè)界精度最高32.768K TCXO SiT1552(±5ppm,1.5×0.8mm); 差分振蕩器DXO 1-625MHz LVDS/LVPECL <1 ps Phase Jitter ±10ppm SiT9121(1-220MHz,2.25~3.63v) SiT9122(220.000001-625MHz,最小封裝可到3.2×2.5mm); 壓控振蕩器VCXO 1-625MHz <1 ps Jitter LVCMOS/LVTTL SiT3808(1-80MHz,pull rang ±25 ppm to ±1600ppm) SiT3809(80.000001-220 MHz) <0.75 ps Jitter LVDS/LVPECL SiT3821(1-220MHz) SiT3822(220.000001-625MHz); 抗沖擊寬溫振蕩器 -55℃~125℃,±20ppm MTBF 13億小時(shí); AEC-Q100汽車(chē)級(jí)振蕩器 SOT23-5封裝 SiT2024(1-110MHz, -40~105℃, -40~125℃) SiT2025(115.2-137MHz); AEC-Q100汽車(chē)級(jí)振蕩器 普通SMD封裝 SiT8924(1-110MHz, -40~125℃,封裝尺寸最小到2.0×1.6mm) SiT8925(220.000001-625MHz) ; 50kg沖擊軍品級(jí)振蕩器 SOT23-5封裝 SiT2020(1-110MHz, -55~125℃) SiT2021(119.342001-137MHz); 50kg沖擊軍品級(jí)振蕩器 標(biāo)準(zhǔn)SMD封裝 SiT8920(1-110MHz, -55~125℃,封裝尺寸最小到2.0×1.6mm) SiT8921(119.342001-137MHz)
愛(ài)普生晶振可編程系列 SG-9101CA SG-9101CB SG-9101CE SG-9101CG
Size 7.0 x 5.0 x 1.3mm Typ. 5.0 x 3.2 x 1.1mm Typ. 3.2 x 2.5 x 1.05mm Typ. 2.5 x 2.0 x 0.7mm Typ.
Output CMOS Frequency range [ f0 ] 0.67 MHz to 170 MHz Supply voltage
[ Vcc] 1.62 V to 3.63 V (1.8 V Typ. / 2.5 V Typ. / 3.3V Typ. ) Spread-spectrum Down or Center spread modulation
Operating temperature -40℃ to +85℃ -40℃ to +105℃
Current consumption f0 = 20 MHz 3.2 mA Typ. ( Vcc = 3.3V , +25℃) 3.7 mA Max. ( Vcc = 3.3V , +105℃)
f0 = 170 MHz 7 mA Typ. ( Vcc = 3.3V , +25℃) 8.3 mA Max. ( Vcc = 3.3V , +105℃) Standby current 0.3 µA Typ. (Vcc = 1.8V , +25℃ ) 0.9 µA Typ. (Vcc = 1.8V , +105℃ )
Field oscillator programming tool SG-Writer II愛(ài)普生晶振可編程SG-9101系列
根據(jù)早期電子元件信息平臺(tái)發(fā)布,將來(lái)美國(guó)SiTime Corporation公司的硅晶體技術(shù)將會(huì)代替壓電石英晶體,首先主要是先把硅晶體晶片植入ICCUP芯片一起綁定,硅晶體晶片跟ICCPU綁定之后,在外圍的線路上講可以省略預(yù)留壓電石英晶體的位置,起到對(duì)貼片晶振的取代,并且可以為日益變小的電子產(chǎn)品節(jié)省更多的空間,不過(guò)時(shí)間都已經(jīng)過(guò)去好幾年了,也沒(méi)見(jiàn)多有所行懂,目前應(yīng)該還存在理論上。
KDS晶振可編程系列M08008系列晶振
出力周波數(shù):1 MHz~110 MHz(小數(shù)點(diǎn)以下6桁まで対応)
外形寸法:2.0×1.6、2.5×2.0、3.2×2.5、5.0×3.2、7.0×5.0 mm
周波數(shù)許容偏差:±20 x 10-6
低消費(fèi)電流:+3.5 mA (typical、Vdd = +1.8V)
IDSC,DVC、DVR、IP CAM,e-Books Tablets,SSD,GPON、EPON等
USB,以及入門(mén)級(jí)SATA,SAS,Firewire 100米,1 G / 10g /以太網(wǎng)
KDS晶振可編程 記號(hào) Min. Typ. Max. 単位 條件
出力周波數(shù)範(fàn)囲 f 1 - 110 MHz
電源電圧 Vdd +1.62 +1.8 +1.98 V +2.25 +2.5 +2.75 +2.52 +2.8 +3.08 +2.7 +3.0 +3.3 +2.97 +3.3 +3.63 +2.25 - +3.63
動(dòng)作溫度範(fàn)囲 T_use -20 - +70 ℃ Extended Commercial -40 - +85 Industrial
周波數(shù)許容偏差 F_stab -20 - +20 ×10-6 +25℃での初期周波數(shù)偏差、経時(shí)変化(1年)、溫度特性、
動(dòng)作電源電圧範(fàn)囲での電源電圧特性、負(fù)荷特性を含む。 -25 - +25 -50 - +50
消費(fèi)電流 Idd - +3.8 +4.5 mA No load condition, f = 20 MHz, Vdd = +2.8V ~ +3.3V - +3.7 +4.2 No load condition, f = 20 MHz, Vdd = +2.5V - +3.5 +4.1 No load condition, f = 20 MHz, Vdd = +1.8V
OEディスエーブル電流 I_od - - +4.2 mA Vdd = +2.5V ~ +3.3V, OE = GND, Output in high-Z state - - +4.0 Vdd = +1.8V, OE = GND, Output in high-Z state
スタンバイ時(shí)電流 I_std - +2.1 +4.3 μA ST= GND, Vdd = +2.8V ~ +3.3V, Output is weakly pulled down - +1.1 +2.5 ST= GND, Vdd = +2.5V , Output is weakly pulled down - +0.2 +1.3 ST= GND, Vdd = +1.8V, Output is weakly pulled down
デューティーサイクル DC 45 - 55 % All Vdds
0レベル電圧 VOL - - Vdd × 0.1 V IOL = +4.0 mA (Vdd = +3.0V or +3.3V) IOL = +3.0 mA (Vdd = +2.8V and Vdd = +2.5V) IOL = +2.0 mA (Vdd = +1.8V)
1レベル電圧 VOH Vdd × 0.9 - - V IOH = -4.0 mA (Vdd = +3.0V or +3.3V) IOH = -3.0 mA (Vdd = +2.8V and Vdd = +2.5V) IOH = -2.0 mA (Vdd = +1.8V)
立上り、立下り時(shí)間 Tr,Tf - 1.0 2.0 ns Vdd = +2.5V, +2.8V, +3.0V or +3.3V, 20% ~ 80% - 1.3 2.5 Vdd =+1.8V, 20% ~ 80% - - 2.0 Vdd = +2.25V ~ +3.63V, 20% ~ 80%
OE 0レベル入力電圧 VIL - - Vdd × 0.3 V Pin 1, OE or ST
OE 1レベル入力電圧 VIH Vdd × 0.7 - - V Pin 1, OE or ST
起動(dòng)時(shí)間 T_start - - 5.0 ms Vddが定格最小値に達(dá)してからの時(shí)間
出力イネーブル時(shí)間
出力ディスエーブル時(shí)間 T_oe - - 130 ns f = 110 MHz. For other frequencies, T_oe = 100 ns + 3 * cycles
レジューム時(shí)間 T_resume - - 5.0 ms ST 端子が50%のしきい値に達(dá)してからの時(shí)間
RMSピリオドジッタ T_jitt - 1.8 3.0 ps f = 75 MHz, Vdd = +2.5V, +2.8V, +3.0V or +3.3V - 1.8 3.0 f = 75 MHz, Vdd = +1.8V
Peak-to-peak ピリオドジッタ T_pk - 12 25 ps f = 75 MHz, Vdd = +2.5V, +2.8V, +3.0V or +3.3V - 14 30 f = 75 MHz, Vdd = +1.8V
RMS位相ジッタ (ランダム) T_phj - 0.5 0.9 ps f = 75 MHz, Integration bandwidth = 900 kHz ~ 7.5 MHz - 1.3 2.0 f = 75 MHz, Integration bandwidth = 12 kHz ~ 20 MHz
那么目前在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)都有那些品牌在做可編程石英晶振呢?在做的品牌有日本大真空KDS晶振,精工愛(ài)普生株式會(huì)社,愛(ài)普生晶振,日本京瓷晶振,KSS晶振品牌,以及臺(tái)灣泰藝晶振,臺(tái)灣亞陶晶振,美國(guó)SiTime晶振,不過(guò)目前在市場(chǎng)銷(xiāo)售的品牌也就主要以美國(guó)SiTime晶振品牌為主了,臺(tái)灣晶振品牌,以及日本進(jìn)口晶振品牌中,在市場(chǎng)公開(kāi)普及銷(xiāo)售的還是比較少,不過(guò)日本的愛(ài)普生晶振品牌,以及KDS晶振品牌,這兩個(gè)品牌目前可接受可編程晶振的定制,不過(guò)價(jià)格比起普通的壓電石英晶體振蕩器來(lái)說(shuō),還是非常昂貴的。
現(xiàn)在市面上對(duì)硅晶體技術(shù)以及產(chǎn)量做的最優(yōu)越的還得說(shuō)美國(guó)的SiTime Crystal,對(duì)于美國(guó)SiTime晶振品牌來(lái)說(shuō)在歐美市場(chǎng)非常受歡迎,并且很多大型科技企業(yè)得到了廣泛應(yīng)用,很遺憾的事,可編程硅晶體目前只針對(duì)有源石英晶體振蕩器系列,并不對(duì)普通壓電石英晶振可采取數(shù)據(jù)編輯。
看到揭開(kāi)神秘面紗后的可編程晶振感覺(jué)如何,就是不知道你有沒(méi)有被它驚艷到,雖然現(xiàn)在可實(shí)現(xiàn)范圍不廣但依然不可阻擋它那奪目的光芒。
那么可編程石英晶振目前市場(chǎng)如何呢?可編程石英晶振目前市場(chǎng)前景在中國(guó)國(guó)內(nèi)來(lái)說(shuō)市場(chǎng)并不是很好,國(guó)內(nèi)主要還是使用常規(guī)的壓電石英晶體振蕩器多點(diǎn),目前硅晶體可編程系列在國(guó)內(nèi)接受度并沒(méi)有得到廣泛的認(rèn)可,說(shuō)難聽(tīng)點(diǎn)很多人連聽(tīng)都沒(méi)聽(tīng)說(shuō)過(guò),更別說(shuō)使用了。
目前國(guó)內(nèi)市場(chǎng)有用到硅晶體可編程貼片晶振的企業(yè)主要以歐美企業(yè),以及代工歐美OEM的企業(yè)比較多,因?yàn)榭删幊逃性淳д裨跉W盟接受度還是比較大的。不過(guò)可硅晶體編程有源晶振對(duì)于一些工程設(shè)計(jì),或者產(chǎn)品開(kāi)發(fā)人士來(lái)說(shuō)是件非常好的事情,因?yàn)楹芏喈a(chǎn)品在開(kāi)發(fā)階段使用頻率都還處在選型階段,而且硅晶體屬于可編程貼片晶振,這樣就大大的滿足了工程設(shè)計(jì)階段樣品采購(gòu)。
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什么叫做可編程晶振?其實(shí)可編程還有個(gè)很好聽(tīng)的名字叫做:硅晶體,可編程石英晶振簡(jiǎn)單的解釋就是,把你需要的晶振頻率,精度,電壓,負(fù)載等要求提供過(guò)來(lái),在通過(guò)簡(jiǎn)單的電腦編輯器,把你需要的這些參數(shù)在電腦控制器上,輸入你所提供的參數(shù),然后按下確定鍵就可以把頻率,電壓等參數(shù)寫(xiě)入到空白的晶振片上。如果還是不明白你就想一下,IC是怎么編程的,原理跟IC編程一個(gè)道理,只不過(guò)IC編程有分為電腦編輯以及手工模擬編輯,手工模擬編輯就是把一顆工片放在主機(jī)上,母片放入編輯機(jī)的附件,按下確定就可以把公片上的IC系列參數(shù)復(fù)制進(jìn)入母片,不過(guò)目前可編輯的石英晶振現(xiàn)在還沒(méi)做到這種地步。
愛(ài)普生晶振可編程晶振 SG-8101CA SG-8101CB SG-8101CE SG-8101CG
Size: 7.0 x 5.0 x 1.3mm Typ. 5.0 x 3.2 x 1.1mm Typ. 3.2 x 2.5 x 1.05mm Typ. 2.5 x 2.0 x 0.7mm Typ.
Output CMOS Frequency range [ f0 ] 0.67 MHz to 170 MHz
Supply voltage [ Vcc] 1.62 V to 3.63 V (1.8 V Typ. / 2.5 V Typ. / 3.3V Typ. )
Frequency tolerance /Operating temperature ±15 x 10-6 / -40℃ to +85℃ ±20 x 10-6 / -40℃ to +105℃ ±50 x 10-6 / -40℃ to +105℃
Current consumption f0 = 20 MHz 3.0 mA Typ. ( Vcc = 3.3V , +25℃) 3.5 mA Max. ( Vcc = 3.3V , +105℃)
f0 = 170 MHz 6.8 mA Typ. ( Vcc = 3.3V , +25℃) 8.1 mA Max. ( Vcc = 3.3V , +105℃) Standby current 0.3 µA Typ. (Vcc = 1.8V , +25℃ ) 0.9 µA Typ. (Vcc = 1.8V , +105℃ )
Field oscillator programming tool SG-Writer II愛(ài)普生晶振可編程系列
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目前石英晶振行業(yè)可編輯的只針對(duì)貼片晶振系列產(chǎn)品,并且只限定有源晶振的石英晶體振蕩器OSC系列尺寸。如果是普通無(wú)源石英晶體諧振器系列的話,目前是還不支持可編程的,并且是指針對(duì)SMD晶振系列,如果是引線型的插件晶振目前也不在支持范圍。
編程器與FP空白片 任意頻率,多種規(guī)格: SiT6100DK(SiTime硅晶振編程器套裝);SiT800X/ SiT200X(低功耗可編程晶振空白片,6種封裝尺寸);SiT8208/9A1-X1-XXX-000.FP000(低抖動(dòng)可編程晶振空白片);SiT912X/ SiT38XX(壓控差分可編程晶振空白片,3種封裝尺寸)。
SiTime硅晶振選型表:普通單端振蕩器XO 1-220MHz ;高性能、低抖動(dòng) <1 ps Phase Jitter ±10ppm SiT8208(1-80MHz) SiT8209(80.000001-220 MHz); 低功耗系列 <3.8mA SiT8008(1-110MHz,最小封裝尺寸2.0×1.6mm) SiT8009(115-137MHz); 業(yè)界首款SOT23封裝振蕩器 成本更低 SiT2001(1-110MHz,SOT23-5封裝2.9×2.8mm) SiT2002(115-137MHz) RTC時(shí)鐘32.768KHz ; 超低功耗,超高精度 典型值0.9uA ±20ppm SiT1533(2.0×1.2mm,SMD) SiT1532(1.5×0.8mm,CSP) SiT1630(2012 SMD,-40~105℃) ; 業(yè)界精度最高32.768K TCXO SiT1552(±5ppm,1.5×0.8mm); 差分振蕩器DXO 1-625MHz LVDS/LVPECL <1 ps Phase Jitter ±10ppm SiT9121(1-220MHz,2.25~3.63v) SiT9122(220.000001-625MHz,最小封裝可到3.2×2.5mm); 壓控振蕩器VCXO 1-625MHz <1 ps Jitter LVCMOS/LVTTL SiT3808(1-80MHz,pull rang ±25 ppm to ±1600ppm) SiT3809(80.000001-220 MHz) <0.75 ps Jitter LVDS/LVPECL SiT3821(1-220MHz) SiT3822(220.000001-625MHz); 抗沖擊寬溫振蕩器 -55℃~125℃,±20ppm MTBF 13億小時(shí); AEC-Q100汽車(chē)級(jí)振蕩器 SOT23-5封裝 SiT2024(1-110MHz, -40~105℃, -40~125℃) SiT2025(115.2-137MHz); AEC-Q100汽車(chē)級(jí)振蕩器 普通SMD封裝 SiT8924(1-110MHz, -40~125℃,封裝尺寸最小到2.0×1.6mm) SiT8925(220.000001-625MHz) ; 50kg沖擊軍品級(jí)振蕩器 SOT23-5封裝 SiT2020(1-110MHz, -55~125℃) SiT2021(119.342001-137MHz); 50kg沖擊軍品級(jí)振蕩器 標(biāo)準(zhǔn)SMD封裝 SiT8920(1-110MHz, -55~125℃,封裝尺寸最小到2.0×1.6mm) SiT8921(119.342001-137MHz)
愛(ài)普生晶振可編程系列 SG-9101CA SG-9101CB SG-9101CE SG-9101CG
Size 7.0 x 5.0 x 1.3mm Typ. 5.0 x 3.2 x 1.1mm Typ. 3.2 x 2.5 x 1.05mm Typ. 2.5 x 2.0 x 0.7mm Typ.
Output CMOS Frequency range [ f0 ] 0.67 MHz to 170 MHz Supply voltage
[ Vcc] 1.62 V to 3.63 V (1.8 V Typ. / 2.5 V Typ. / 3.3V Typ. ) Spread-spectrum Down or Center spread modulation
Operating temperature -40℃ to +85℃ -40℃ to +105℃
Current consumption f0 = 20 MHz 3.2 mA Typ. ( Vcc = 3.3V , +25℃) 3.7 mA Max. ( Vcc = 3.3V , +105℃)
f0 = 170 MHz 7 mA Typ. ( Vcc = 3.3V , +25℃) 8.3 mA Max. ( Vcc = 3.3V , +105℃) Standby current 0.3 µA Typ. (Vcc = 1.8V , +25℃ ) 0.9 µA Typ. (Vcc = 1.8V , +105℃ )
Field oscillator programming tool SG-Writer II愛(ài)普生晶振可編程SG-9101系列

根據(jù)早期電子元件信息平臺(tái)發(fā)布,將來(lái)美國(guó)SiTime Corporation公司的硅晶體技術(shù)將會(huì)代替壓電石英晶體,首先主要是先把硅晶體晶片植入ICCUP芯片一起綁定,硅晶體晶片跟ICCPU綁定之后,在外圍的線路上講可以省略預(yù)留壓電石英晶體的位置,起到對(duì)貼片晶振的取代,并且可以為日益變小的電子產(chǎn)品節(jié)省更多的空間,不過(guò)時(shí)間都已經(jīng)過(guò)去好幾年了,也沒(méi)見(jiàn)多有所行懂,目前應(yīng)該還存在理論上。
KDS晶振可編程系列M08008系列晶振
出力周波數(shù):1 MHz~110 MHz(小數(shù)點(diǎn)以下6桁まで対応)
外形寸法:2.0×1.6、2.5×2.0、3.2×2.5、5.0×3.2、7.0×5.0 mm
周波數(shù)許容偏差:±20 x 10-6
低消費(fèi)電流:+3.5 mA (typical、Vdd = +1.8V)
IDSC,DVC、DVR、IP CAM,e-Books Tablets,SSD,GPON、EPON等
USB,以及入門(mén)級(jí)SATA,SAS,Firewire 100米,1 G / 10g /以太網(wǎng)
KDS晶振可編程 記號(hào) Min. Typ. Max. 単位 條件
出力周波數(shù)範(fàn)囲 f 1 - 110 MHz
電源電圧 Vdd +1.62 +1.8 +1.98 V +2.25 +2.5 +2.75 +2.52 +2.8 +3.08 +2.7 +3.0 +3.3 +2.97 +3.3 +3.63 +2.25 - +3.63
動(dòng)作溫度範(fàn)囲 T_use -20 - +70 ℃ Extended Commercial -40 - +85 Industrial
周波數(shù)許容偏差 F_stab -20 - +20 ×10-6 +25℃での初期周波數(shù)偏差、経時(shí)変化(1年)、溫度特性、
動(dòng)作電源電圧範(fàn)囲での電源電圧特性、負(fù)荷特性を含む。 -25 - +25 -50 - +50
消費(fèi)電流 Idd - +3.8 +4.5 mA No load condition, f = 20 MHz, Vdd = +2.8V ~ +3.3V - +3.7 +4.2 No load condition, f = 20 MHz, Vdd = +2.5V - +3.5 +4.1 No load condition, f = 20 MHz, Vdd = +1.8V
OEディスエーブル電流 I_od - - +4.2 mA Vdd = +2.5V ~ +3.3V, OE = GND, Output in high-Z state - - +4.0 Vdd = +1.8V, OE = GND, Output in high-Z state
スタンバイ時(shí)電流 I_std - +2.1 +4.3 μA ST= GND, Vdd = +2.8V ~ +3.3V, Output is weakly pulled down - +1.1 +2.5 ST= GND, Vdd = +2.5V , Output is weakly pulled down - +0.2 +1.3 ST= GND, Vdd = +1.8V, Output is weakly pulled down
デューティーサイクル DC 45 - 55 % All Vdds
0レベル電圧 VOL - - Vdd × 0.1 V IOL = +4.0 mA (Vdd = +3.0V or +3.3V) IOL = +3.0 mA (Vdd = +2.8V and Vdd = +2.5V) IOL = +2.0 mA (Vdd = +1.8V)
1レベル電圧 VOH Vdd × 0.9 - - V IOH = -4.0 mA (Vdd = +3.0V or +3.3V) IOH = -3.0 mA (Vdd = +2.8V and Vdd = +2.5V) IOH = -2.0 mA (Vdd = +1.8V)
立上り、立下り時(shí)間 Tr,Tf - 1.0 2.0 ns Vdd = +2.5V, +2.8V, +3.0V or +3.3V, 20% ~ 80% - 1.3 2.5 Vdd =+1.8V, 20% ~ 80% - - 2.0 Vdd = +2.25V ~ +3.63V, 20% ~ 80%
OE 0レベル入力電圧 VIL - - Vdd × 0.3 V Pin 1, OE or ST
OE 1レベル入力電圧 VIH Vdd × 0.7 - - V Pin 1, OE or ST
起動(dòng)時(shí)間 T_start - - 5.0 ms Vddが定格最小値に達(dá)してからの時(shí)間
出力イネーブル時(shí)間
出力ディスエーブル時(shí)間 T_oe - - 130 ns f = 110 MHz. For other frequencies, T_oe = 100 ns + 3 * cycles
レジューム時(shí)間 T_resume - - 5.0 ms ST 端子が50%のしきい値に達(dá)してからの時(shí)間
RMSピリオドジッタ T_jitt - 1.8 3.0 ps f = 75 MHz, Vdd = +2.5V, +2.8V, +3.0V or +3.3V - 1.8 3.0 f = 75 MHz, Vdd = +1.8V
Peak-to-peak ピリオドジッタ T_pk - 12 25 ps f = 75 MHz, Vdd = +2.5V, +2.8V, +3.0V or +3.3V - 14 30 f = 75 MHz, Vdd = +1.8V
RMS位相ジッタ (ランダム) T_phj - 0.5 0.9 ps f = 75 MHz, Integration bandwidth = 900 kHz ~ 7.5 MHz - 1.3 2.0 f = 75 MHz, Integration bandwidth = 12 kHz ~ 20 MHz

那么目前在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)都有那些品牌在做可編程石英晶振呢?在做的品牌有日本大真空KDS晶振,精工愛(ài)普生株式會(huì)社,愛(ài)普生晶振,日本京瓷晶振,KSS晶振品牌,以及臺(tái)灣泰藝晶振,臺(tái)灣亞陶晶振,美國(guó)SiTime晶振,不過(guò)目前在市場(chǎng)銷(xiāo)售的品牌也就主要以美國(guó)SiTime晶振品牌為主了,臺(tái)灣晶振品牌,以及日本進(jìn)口晶振品牌中,在市場(chǎng)公開(kāi)普及銷(xiāo)售的還是比較少,不過(guò)日本的愛(ài)普生晶振品牌,以及KDS晶振品牌,這兩個(gè)品牌目前可接受可編程晶振的定制,不過(guò)價(jià)格比起普通的壓電石英晶體振蕩器來(lái)說(shuō),還是非常昂貴的。
現(xiàn)在市面上對(duì)硅晶體技術(shù)以及產(chǎn)量做的最優(yōu)越的還得說(shuō)美國(guó)的SiTime Crystal,對(duì)于美國(guó)SiTime晶振品牌來(lái)說(shuō)在歐美市場(chǎng)非常受歡迎,并且很多大型科技企業(yè)得到了廣泛應(yīng)用,很遺憾的事,可編程硅晶體目前只針對(duì)有源石英晶體振蕩器系列,并不對(duì)普通壓電石英晶振可采取數(shù)據(jù)編輯。
看到揭開(kāi)神秘面紗后的可編程晶振感覺(jué)如何,就是不知道你有沒(méi)有被它驚艷到,雖然現(xiàn)在可實(shí)現(xiàn)范圍不廣但依然不可阻擋它那奪目的光芒。
正在載入評(píng)論數(shù)據(jù)...
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